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정의식으로 바꿀 때 이런 단촐함이 매력이 아닐 수 없다. 직류적으로 컬렉터 전류를 구하는 것은 너무 쉽다. 여기에 40만 곱해주면 상호컨덕턴스를 구할 수 있으니 트랜지스터 증폭기를 소신호 하이브리드 파이 모델로 바꾸는 것은 너무 쉬울
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은근히 걱정 되겠지만, 당장은 이렇게 정리하고 나중에 두 값이 어떻게 되는지를 비교하는 것은 아주 재미있다. 걱정의 한숨 대신 안도의 한숨이 나올 것이다. 기대하시라. 다음에는 하이브리드 일반적인 모델로 전압이득과 출력임피던스를
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미터는 다음과 같다.
① : 드레인 - 소스 포화전류
② : pinch off 또는 게이트 - 소스 OFF 전압
③ : 드레인 - 소스가 단락 시 게이트 - 소스의 breakdown
④ : 소자의 상호 콘덕턴스
⑤ : 소자가 ON 상태일 때 드레인 - 소스 저항
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(
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상호 콘덕턴스
⑤ : 소자가 ON 상태일 때 드레인 - 소오스 저항
(2) MOSFET의 구조 및 특성
MOSFET는 채널로부터 절연된 게이트를 갖도록 제도된 소자로서 공핍형 구조(depletion mode) 와 증가형 구조 (enhancement mode)로 구별 되는데, 공핍형에서 채널은 실
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