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실리콘 단결정에서 성장 리지의 형성은 {111}면의 억제에 기인하므로 {111}면의 궤적을 따라 형성 된다. 따라서, 성장 방향을 [100]으로 정의하면 성장 리지는 [011],[011],[011],[011]의 네방향으로 형성된다. 즉 <100>방향으로 성장된 초크랄스키 실
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실리콘 지역에 접촉할 수 있다.
·다음에 금속을 표면에 덮고 선별적으로 에치한다(그림 3g).
·최종단계로 웨이퍼를 passivation 시키고 본드패드의 개구부를 에치하여 도선을 접촉한다. passivation시키면 회로작동에 나쁜 영향을 주는 오염물질의
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소자 제작 공정
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판준비
보호 산화막 (screen oxide) 증착
채널층 불순물 주입
보호 산화막 제거
건식산화 (dry oxidation)
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 증착
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 이온주입
다결정실리콘 (poly-S
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실리콘산화막 기판위에서 온도에 따른 탄소나노튜브의 성장특성을 고찰하기 위해 합성온도를 950 , 850 , 750 로 변화시키면서 탄소나노튜브를 합성하였다. 탄소나노튜브를 합성하기 전에 먼저 실리콘산화막 기판위에 Fe를 약 100 nm의 두께로 증
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실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막 (SiO2)를 형성 시킨다. 산화막은 웨이퍼 위에 그려질 배선끼리 합선되지 않도록 서로를 구분해 준다. 배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선될 경우가 많다.
▣ 제7단계 : 감광액
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