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실리콘 단결정에서 성장 리지의 형성은 {111}면의 억제에 기인하므로 {111}면의 궤적을 따라 형성 된다. 따라서, 성장 방향을 [100]으로 정의하면 성장 리지는 [011],[011],[011],[011]의 네방향으로 형성된다. 즉 <100>방향으로 성장된 초크랄스키 실
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SiO2층이 선명하게 드러나고있다. 우리조가 했던 Etching과 Hard baking등의 조건과 다르게 실험을 진행한듯하다.
4월 29일 실험 : ‘ Develop까지’
지금 까지 1조에서는 2가지 종류의 실리콘웨이퍼를 가지고 실험을 진행하여왔다. 하나는 35시간동안
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실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플롯존법(Float Zone Method, FZ)
* 그 외의 결정 성장법
반도
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SiO2 ( 가열온도 900-1200℃)
실리콘이 산소에 노출되면 산화실리콘이 형성되는데, 이 공식이 성장 메카니즘을 나
타내는 것은 아니다. 산화 실리콘 성장의 메카니즘을 이해하려면 산소 노출 직후의
실리콘 웨이퍼를 고려해야 한다.
실리콘과 산
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SiO2를 에치해 내려가야 한다(그림 3f). 그러면 금속이 확산지역이나 폴리실리콘 지역에 접촉할 수 있다.
·다음에 금속을 표면에 덮고 선별적으로 에치한다(그림 3g).
·최종단계로 웨이퍼를 passivation 시키고 본드패드의 개구부를 에치하여 도선
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