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다.
(111)Wafer도 있기는 하지만 Wafer가 방사형으로 쪼개지기 때문에 Package 과정에서 Chip이 잘 깨져서 쓸모가 없습니다.
(100) Wafer는 네모 반듯하게 쪼개지기 때문에 sawing 하면서도 문제가 발생하지 않습니다.
웨이퍼의 결정방향과 도핑특성을 표
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웨이퍼에 깊이가 1㎛이고, 직경 0.2㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 인 홈에 Cu를 채워 넣는 공정이다. PVD, CVD, ALD 중 어떤 것을 이용하겠는가? 생산단가와 공정시간을 염두해 둘 것!!
● PVD(Physical Vapor Deposition) : 물리적 기상 증착법
● CVD(Chemical Vapor Deposition)
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에피택시 (Epitaxy) 공정
1.에피택시란?
그리스문자 epi(위에) + taxis(배열) = 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)
기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술
기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는
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웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다
이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정
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- Epitaxy 란?
기판웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는
얇은 단결정 막을 기르는 기술
HVPE는 현재 차세대 광원으로 각광
받고 있는 GaN기판 제작법
고속성장, 소자용 결정층의 제작에 용이,
낮은 온도에서 제작&nbs
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