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자성박막기술의 개발이 매우 중요하다.
이와 더불어 칩 형태의 비휘발성 메모리소자에 관한 필요성이 매우 증대되고 있다. 비휘발성 메모리 소자 중 Flash memory가 많이 쓰이고는 있지만 동작속도가 느리고 고가이면서 기술적으로 한계를 가지
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자성재료 연구센터. Ⅰ. 서 론
II. 이론적 배경
1. Sputtering의 원리 및 특징
2. 자기저항의 분류
3. 강자성(ferromagnetic) 박막에서의 비등방 자기저항(AMR) 효과의 현상론적 이론
4. 광 자 기 효 과
Ⅲ. 실 험 방 법
1. 박막의 제작
2. XRD에
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1. 나노 분말 정의
나노 소재 개요
분말형태(0차원), 튜브형태(1차원), 박막형태(2차원), 벌크형태(3차원) 등
나노분말 및 박막소재 가장 보편화 및 연구 진행
자성박막을 포함, 박막소재는 본격적인 나노소재 관심 이전부터 많은 부분이 사실
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크기가 이것을 에워싸고 있는 두 층의 자성박막의 자기배열(평행 또는 반평행 상태)시 유도되는 전기저항의 차이로 신호(전압차이)를 발생시킨다. 아래 그림과 같이 평행배열 시 저항이 낮고, 반평행배열 시 저항이 높아진다. 통상 두 자화층
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자성박막 두께 변화에 따른 스핀방향천이 현상
(Carcia et al., APL 47, 178 (1985)]
그림 2. 거대 자기저항(GMR) 현상.
(Baibich et al., PRL 61, 2472 (1988)
그림 3. 광자기 기록기술 개략도
그림 4. GMR 스핀 밸브 헤드 구조
그림 5. 자기 메모리(MRAM) 개략도 1. 서
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