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회로의 기초적인 이해뿐만 아니라, MOSFET 기술에 대한 심화 학습의 기회를 제공하였다. 이러한 경험은 향후 더 복잡한 회로 설계와 분석에 필요한 기초를 다지는 데 큰 도움이 될 것이다.
IV.2. 결과
MOSFET 기반의 공통 소스 증폭기 실험에서 얻은
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결과는 회로 설계의 정확성, 효율성, 및 응답 특성을 잘 보여줄 것이다. 이를 통해 실제 회로 구현 시 실험 결과와 이론적 모델 간의 차이를 분석하고, 향후 설계에 반영할 수 있는 중요한 데이터를 제공받게 될 것이다. 이러한 과정은 전자 회
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결과는 MOSFET 기반의 다양한 회로 설계에 있어 중요한 기초 자료가 될 것이며, 이번 실험을 통해 얻은 경험과 지식은 앞으로의 전자 회로 설계에 큰 도움이 될 것이다. 1. 실험 성과
1.1 공통 소스 증폭기 특성
1.2 축퇴형 공통 소스 증폭기
2
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실험 결과, MOSFET의 작동 영역에 따라 선형 증폭과 비선형 증폭의 차이를 확인할 수 있었다. 또한, 바이어스 회로의 구성에 따라 증폭기의 안정성과 주파수 응답이 어떻게 변화하는지를 분석하였다. 이를 통해 MOSFET을 활용한 회로 설계의 기초
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PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지방식에 따른
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회로가 되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
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회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
2.오실로스코프 파형 - ( Ch1 : 입력 전압 / Ch2 : 출력 전압 )
<공통 - 소스 증폭기>
<공통 - 게이트 증폭기>
<공통 - 드레인 증폭기>
3.실험 결과 값
<공통 -
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회로에서 VE는 대략 얼마인가?
(a) -9V (b) 0V (c) -0.7V (d) +0.7V
⇒ 회로에서 이미터전압(VE)값은 VB-0.7V로 구할 수 있으므로 다음과 같은 식이 성립된다.
VE=VB-0.7V=0V-0.7V=-0.7V
5. 다음 중 공통베이스 증폭기의 정상적인 증폭기의 정상적인 특성이 아닌 것
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는데, 이것은 하나의 트랜지스터가 동작하는 것을 보면 전체 회로가 공통 컬렉터 증폭기와 같이 되고 그 성격과 같이 입력신호와 출력신호와의 위상차가 없는 것이 된다고 생각해 보았다.
실험 18장에 대한 복습문제
1. 그림 18-3에 보인 바와
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드레인 특성 곡선을 그린다. 각 곡선을 식별하도록 번호를 붙인다.
<실험 과정 - 소스 공통 증폭기>
7. 오른쪽 회로를 접속한다. VDD를 +15V로 조정한다. 정현파 발생기의 출력을 1000Hz에서 최소로 조정한다.
8. 오실로스코프로 출력 신호 Vout을
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