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Purpose of the Experiment
Understanding the principle and characteristics of the MOS Capacitor
C-V, I-V analysis in accordance with the thickness of the Al2O3 insulator
Insulator thickness (6nm, 12nm, 18nm)
Experimental Background
MOS Capacitor
MOS Capacitor structure
MOS Capacitor pri
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절연체 박막의 두께에 따라 Capacity가 다름을 알 수 있었다. 따라서 이론상으로는 Capacity가 박막의 두께와 선형관계를 갖는다면(예를들어 100nm의 C값을 라고 할 때 200nm의 C값은 /2, 300nm의 C값은 /3), 유전율이 일정하다고 할 수 있을 것이다. 다음
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두께에 따라서 변하는 물성이라도 박막측정에 이용될 수 있는데, 감도의 높음과 측정의 쉬움 등에서 막 두께 측정에는 전기적 물성과 광학적 물성이 가장 넓게 이용되고 있다. 전기적 물성을 이용할 때에는 도전체와 절연체를 나누어 고려할
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절연체처럼 작용하는데 이 때문에 절연체의 두께가 두꺼워지고 전류가 거의 흐르지 않는 결과가 나타나는 것으로 보인다.
0V이상의 전압을 가해주면 5nm는 약 10V까지 10nm,15nm는 약 3V까지 절연체로서의 역할을 잘 수행하고 있다고 할 수 있다.
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절연체의 두께와 칼날간거리 및 길이 등은 모두 규정에 의한 허용오차 범위 안에 들었으나, 220V 콘센트의 경우 감전방지용 안전장치의 세부적인 수치가 명시되어 있지 않았고, 이 부분은 구조상 콘센트 구멍과 안전장치 사이의 틈이 커 어린
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절연체 물질인 PVP(Poly Vinyl Phenol)을 이용하여 좀 더 플렉시블 하면서 고성능의 TFT를 만들어 보았다. 그 결과 이동도는 370.83cm2/Vs로 유기물 소자에 비해 뛰어난 성능을 보였으나 SS(subthreshold slope) 값과 ON/OFF ratio 각각 372 mV/decade, 5×103 로 유기물
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