|
증착법)
화학적 증착법의 종류
1)열분해법
2)수소 환원법
3)화학 반응법
4)광화학 반응법
열CVD
1)열 CVD의 장점
2)열 CVD의 단점
3)열 CVD 방식
플라즈마 CVD
대표적인 플라즈마 CVD 특징과 장치
1.고주파 플라즈마 CVD
2.P-CVD 장
|
|
|
즉 기체(물질)이 없는 상태.
지구 대기압의 10-17 정도
포괄적 의미: 대기압 보다
낮은 기체 압력상태 1. 플라즈마
2.증작의 종류
3.종류별 소개
4.플라즈마 증착의 제품응용
5.증착장비소개 등등...
|
|
|
증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 원자들이 떨어져나오는 메커니즘으로 설명되어질 수 있다. 이 증착 방법은 Al, Al 합금
|
|
|
플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 TiB₂박막의 저온 증착 및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울대학교 대학원, 2006. 1. 박막 증착법의 원리에 따른 구분
2. 스퍼터링 방법 종류와 그에 대한 설명 및 비교
3. 박막의 특성평가
|
|
|
트 타게트에서 기화된 탄소클러스터들은 저온으로 냉각되어 있는 Cu collector에서 흡착되어 응축된다.
② 플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
플라즈마 CVD는 열 CVD에 비해서 저온에서 합성시킬 수 있는 장점이 있다. 일
|
|
 |
플라즈마에 대한 지식은 공정을 이해하는데 큰 도움이 될 것입니다.
세 번째로 반도체 공정실습에서는 Inductor역할을 하는 웨이퍼를 제작하였습니다. 이 과정에서 노광,식각,증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한 이해를
|
|
메뉴펼치기
