증착(evaporation)
2) 스퍼터링(Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion plating)
(2) 일반적인 스퍼터링, magnetron 스퍼터링 및 UBM(unbalanced magnetron) 스퍼터링에 대해서 설명 및 비교하여라.
(3) 박막의 특성평가 방법들의 종류와 그 원리 및 얻
박막을 관찰한다.
5. 결과 및 토의
1) 기상법에 의한 박막제조기술에는 어떤 방법들이 있는지 조사한다.
2) Thermal Evaporation으로 증착되는 발광재료에 대해 조사한다.
* 장비 ON 순서
1. Air, Water, Vent V/V Off 확인
2. Power ON
3. R/P ON, Gause ON
4. F/V ON,
대해 논하겠다. 이 장의 나머지 부분은 여러 가지 형태의 증착 시스템과 특별한 가스들의 화학적 특성들에 대해 논하겠다.
13.1 실리콘의 증착을 위한 기본적인 CVD 시스템( A Simple CVD System for the deposition of Silicon)
CVD 시스템에 대한 이해를
제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다. NiO의 밴드갭이 3.7~3.9eV 로 거의 부도체와 같다. 특