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CVD법이 있는데, 저압 CVD쪽이 균일한 박막이 얻어진다. 이 CVD법은 기판의 가열온도를 약 1000℃로 하지 않으면 안되기 때문에, 고온가열이 불가능한 것은 곤란해진다. 그래서 고주파를 가하여 플라즈마를 발생시켜 300～400℃의 가열로도 효과가
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※ PLASMA의 원리
- 플라즈마란 소위 ‘제 4의 물질상태’
- 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단
- 기체 상태에서 더 큰 에너지를 받게되면 상전이와는 다른 이온화된 입자들. 즉, 양과 음의 총 전하 수가 거의
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상증착법
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
플라즈마CVD는 열CVD에 비해서 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 장점이 있으며, 플라즈마CVD에서 방전을 일으키는 전원은 직류(DC) 또는 고주파 전원의 두 가지로 구분할 수 있는데, 고주파
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상증착법
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
플라즈마CVD는 열CVD에 비해서 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 장점이 있으며, 플라즈마CVD에서 방전을 일으키는 전원은 직류(DC) 또는 고주파 전원의 두 가지로 구분할 수 있는데, 고주파
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CVD(화학적 증착법)
화학적 증착법의 종류
1)열분해법
2)수소 환원법
3)화학 반응법
4)광화학 반응법
열CVD
1)열 CVD의 장점
2)열 CVD의 단점
3)열 CVD 방식
플라즈마 CVD
대표적인 플라즈마 CVD 특징과 장치
1.고주파 플라즈마 CVD
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