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D인 중실원형 단면에 비틀림 모멘트 T가 작용할 때 최대 전단응력 공식은 아래에 있다.
재료의 탄성계수는 3page 실험내용 공식들을 이용하면 구할 수 있다.
순수전단의 경우에 대한 모어의 응력원으로부터
이다.
위에 공식들을 이용하여 각
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d
Fig 1. 실험에 의한 질량 관성모멘트의 측정
(3) 실험방법
① Fig.1과 같이 준비된 직육면체 시편의 질량과 줄의 길이, 줄사이의 거리를 측정한다.
② 직육면체 시편의 초기 변위 θ를 주어 비감쇠 자유진동의 상태를 만든다.
(θ가 작을 경우, sin
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회로가 형성되며, 이들 전류에 의하여 시간적으로 변화하는 자기장이 발생하여 전자기파의 형태로 공간에 전파된다. 1. 목 적
2. 기 구
3. 이 론
1) 키르히호프의 전류 법칙(Kirchhoff's current law, KCL)
2) 키르히호프의 전압 법칙(Kirchhoff's v
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RS-Latch 회로를 구성하고 입력 R, S의 변화에 따른 출력을 측정하라.
R
S
Q
Q'
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
0
(2) NAND 게이트를 이용한 RS-Latch 회로를 구성하고 입력 R, S의 변화에 따른 출력을 측정하라.
R
S
Q
Q'
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
1
1
(3) D 래
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회로를 구성하라.
2. 실험 1, 2의 내용을 반복하라.
▲ 실험1의 내용 - HPF 회로에서 -
주파수 영역에서의 차단 주파수 1/RC는 시간영역에서 시정수 τ=RC의 역수가 된다.
< R=1KΩ, C=0.1u 일 경우>
이론치
⇒ 1/RC ⇒ 10KHz
측정치
⇒ 15.18KHz
< R=10KΩ,
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d. 커패시터 10[μF], 100[μF] 1개
4. 실험 진행
(1) [시정수 측정] 아래 그림과 같이 회로를 구성하고 커패시터를 10[V]로 충전 후 연결선을 저항에 연결하라. 오실로스코프에 나타난 출력파형을 그리고 시정수를 구하라. 이론적으로 계산된 값과 비
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회로 공정과목에 대한 예행 실험으로 생각되어, 과목을 수강 시 많은 도움이 될 것 같다.
10. 참고문헌
가. 서적
반도체 공정기술, 황호정 저, 생능출판사
공정플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반
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회로장치에 label하려면 그 장치를 더블 클릭한다. 그러면 다음과 같은 창이 뜬다. 여기서는 Power를 더블 클릭한 경우이다.
Label-Value : 전압의 크기를 설정
→ +1.5 V를 입력
Designation : 장치에 이름입력
→ Vcc라 적고 Visible를 체크한다.
⇒ 트
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트리거가 짧게 인가되어야 하는데 주파수를 올려도 낮춰도 저희가 원하는 입력이 인가되질 않았습니다.
● 실험 내용과 방법 (Schmitt trigger)
1)오른쪽 그림과 같이 회로를 구현한다.
2)Power Supply를 이용하여 =8V를 인가한
다.
3)Function Gennerator를
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회로>
순수한 저항(L=C=0)이 오른쪽과 같이 교류전원 (V = V0sin(ωt))에 연결될 때 V0sin(ωt)- IR = 0이므로 I = V/R = V0/R sin(ωt)이다. 즉, 전류는 옴의 법칙에 주어진 바와 같이 기전력(emf)에 비례해서 증가 또는 감소하는 것을 볼 수 있다.
따라서 오른
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