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TTL소자에 비하여 CMOS소자는 잡음여유가 훨씬 크다.
○ 실 험
1) 인버터로서의 게이트
- 2번 핀에 high(1)를 넣어줌으로 써, 1번 핀의 입력값에 따라 3번핀으로 출력되는
출력값은 1번핀의 입력값의 역수로 나온다.
2) 게이팅 동작
- NAND 게이트는 AND
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1
1
0
1
1
1
0
⑻ XOR 게이트
입력
출력
A
B
X
0V
0V
0V
0V
5V
5V
5V
0V
5V
5V
5V
0V
XOR 게이트 진리표
XOR 게이트 진리표
XOR 게이트는 OR 게이트와 출력이 반대되는 게이트로써, 이번 회로는 3개의 XOR 게이트를 연결하여 구성하였다.
입력이 모두 5V일 때, 출력은
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동작하게 된다. 따라서 Q4가 포화 상태가 되므로 출력은 논리 0이 된다.
위의 그림의 게이트 회로에서 저항값은 R1은 4kΩ, R2는 1.6kΩ, R3는 2kΩ, R4는 5kΩ 정도가 된다.
TTL 게이트에서는 입력의 수를 늘리려면 입력 트랜지스터의 이미터 수를 늘리면
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동작하게 된다. 따라서 Q4가 포화 상태가 되므로 출력은 논리 0이 된다.
위의 그림의 게이트 회로에서 저항값은 R1은 4kΩ, R2는 1.6kΩ, R3는 2kΩ, R4는 5kΩ 정도가 된다.
TTL 게이트에서는 입력의 수를 늘리려면 입력 트랜지스터의 이미터 수를 늘리면
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1986), 논리프로그래밍 방식에 의한 게이트레벨 논리회로 합성에 관한 연구, 서울대학교
김희석(2000), 이근만 저논리회로 실험(TTL 게이트와 PLD를 이용한), 에드텍
김상진(1990), 디지탈 IC의 활용(게이트에서 마이컴까지), 집문당
문경주(2010), 분
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