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이용한 RIE(Reactive Ion Etching) 공정에서의 미립자 발생에 미치는 공정 변수의 영향과 RF on-off 변조(modulation)의 영향.
VI. 직류 평판 Diode형 Al 스퍼터링 공정에서의 미립자 거동과 Ring 전극 첨가가 미립자 거동에 미치는 영향.
VII. 결론.
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직류에 더 가까워진다. 1. 다이오드
2. 실험결과
실험 1. Diode test 및 극성의 결정
1) DMM을 사용한 극성 결정
2) Diode의 특성곡선
실험 2. 정류회로 제작
1) 반파 정류 회로의 제작
2) 전파 정류 회로의 제작
3. 실험에 대한 고찰
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형 반도체의 구멍 쌍을 만들기 위해서는 에너지가 필요하다. 이 에너지는 전자와 구멍이 재결합 할 때 다시 방출되는데, 일부 특정한 반도체에서는 재결합이 일어날 때 광자가 방출된다. 이것이 발광 다이오드(light emitting diode : LED)의 원리이
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형 BJT
2) BJT의 동작 모드
☞ BJT는 저항(R, resistor), 캐페시터(C, capacitor), 인덕터(L, inductor), 다이오드(diode)와는 다르게 3개의 단자(terminal)를 가지고 있다. 3개의 단자를 가지는 소자의 전기적인 특성은 3단자에 인가되는 전압들과 3단자로
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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다이오드에 가깝고, 정류 작용하는 것이다. 이것은 전력 소모가 적고 자체 발광으로 시야각이 넓으며 응답 속도가 빠른 장점이 있는 반면에, 발광체의 수명이 짧고 밝은 빛 아래에서는 볼 수 없으며 대형 화면을 만들기 어려운 단점도 있다. MP
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형 액정과 OCB(Optical Compensated Bend) 응답속도 비교
응답속도는 상승시간과 하강시간의 합의 중간값 즉,
상승시간+하강시간
----------------- = 응답속도 이다.
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일반 TN의 경우 [그림 4-3]과 [그림4-4]와 같이 측정결과 상승시간 14.8ms 하강시간 2ms 의 반
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