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FE-SEM으로 찍은 이미지를 보면 왼쪽 편의 사진이 예상대로 7분일 때 가장 깊은 것으로 나타났다. 처음 예상과 비슷한 결과값이 나왔다.
Etch rate는 SiO2의 두께 변화로 구하는 것이고 공식은 다음과 같다. 1. 실험 목적
2. 실험방법
3. 결과
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FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy), X-ray 회절 분석(XRD), 시차주사열분석(DSC)\, 입도분석(PSA)을 실시하였으며, 전기화화적 특성 평가를 위해FeS2를 양극물질로 Li 금속을 음극으로 사용하여 전지를 조립하고 순환전압전류법과 충·방전 실험
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FE-SEM은 1.5nm이하의 고분해능으로 고화질의 화상을 얻을수 있기 때문에 형상관찰에 폭넓게 이용되고 있다. [특징]SEM은 광학현미경과 비교하여 얻을수 있는 화상의 초점심도가 2배이상 깊으며, 동시에2배이상의 높은 분해능(FE-SEM에서는 최대 0.6
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주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)
기술의 진보와 함께 보다 미세 구조의 유기물, 무기물, 금속, 또는 이들의 복합체의 형상과 구조에 대한 보다 정확한 이해가 필요하게 되었다. 주사전자현미경은(SEM)은 고체 상태의 미세조직과 형상을
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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FE-SEM, BET, FTIR 등)을 배울 수 있었으며, 이를 연구에 적용하는 방법을 익혔습니다.
이러한 전공 과목을 통해 학습한 이론과 실험 경험을 바탕으로, 대학원 과정에서 보다 심층적인 촉매 및 기능성 소재 연구를 수행하고자 합니다.
6. 석사ㆍ박사
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