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로 IGBT가 ON되 기 때문이다.초퍼 회로 등에 사용할 경우 IGBT를 사용하지 않고 FWD 만 사용할 수 있는 케이스에서는 반드시 게이트-이미터간을 쇼트해놓는 것이 중요하다(후술하는 바와 같이 역 바이어스 를 걸어두는 것도 좋다). 또 회로를 작성
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IGBT의 해석에는 일반적으로 MOSFET + Diode model과 MOSFET + BJT model
두가지가 많이 사용됩니다.
어떤 모델을 사용하든 관계는 없지만 MOSFET + BJT model이 비교적
정확한 편입니다.
(그렇다고 크게 차이가 나지는 않습니다. 좀더 정확한 값을 얻을 수 있다
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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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용이하므로 고속전철용 전원장치에 널리 활용
IGBT 단면도
IGBT 등가회로
※ 3상인버터의 정현파 PWM 제어는 일정한 직류 입력전압 로부터 크기와 주파수가 가변될 수 있는 평형 3상의 제어 출력전압을 얻을 경우 가장 널리 사용되는 출력전압 제
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IGBT
그림 2-35의 (a)와 (b)는 N채널 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 회로기호와 둥가회로를 각각 나타낸다. 그림 2-35 (a)에서 G, C, E는 각각 게이트(gate), 컬렉터(collector), 에미터(emitter) 단자를 나타내며, 게이트와 에미터 사이의 전압 vcE의크기로 컬
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자적인 기술력을 바탕으로 고부가가치 제품 중심의 성장을 지속하고 있으며, 특히 IGBT 기반 전력 소자에서의 기술 개발 로드맵과 품질 대응 시스템이 매우 인상 깊었습니다. 저는 IGBT 공정 개발 및 양산 대응 경험을 바탕으로, 전기차, 산업용
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IGBT, SiC 기반 소자 분석 능력, EMI 필터 설계 능력까지 학습하고 싶습니다.
7. 본인의 장점은 무엇이라고 생각하나요?
기초를 탄탄하게 다진 사람이라는 점입니다. 단순히 코드를 짜거나 부품을 연결하는 것이 아니라, 전기전자 이론에 기반하여
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