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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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하므로 IGBT가 ON되 기 때문이다.초퍼 회로 등에 사용할 경우 IGBT를 사용하지 않고 FWD 만 사용할 수 있는 케이스에서는 반드시 게이트-이미터간을 쇼트해놓는 것이 중요하다(후술하는 바와 같이 역 바이어스 를 걸어두는 것도 좋다). 또 회로를
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전력처리능력을 갖고 구동이 쉽다는등의 장점때문에 차세대 전력반도체 스위치로 주목받고 있는 소자이다.
그림 - MCT(P 형)
그림 - MCT(P 형) 1. 다 이 오 드
2. SCR 사이리스터
3. GTO 사이리스터
4. 바이폴라 트랜지스터
5. MOSFET
6. IGBT
7. MCT
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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안전동작 영역도 더 넓습니다. 그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량화 되는 이점이 있습니다. 1. VVVF 인버터의 발전
2. 유도전동기 특성
3. VVVF 인버터의 원리
4. GTO(Gate Turn Off Thyristor)
5. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
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