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측정
측정 :
c) 입력 신호를 0으로 하고, V2를 +15V로 설정한 후, VC=5V가 될 때까지 V1을 키우고, 이 때 V1을 측정하시오.
d) 이제, 노드 I에서 주파수 1kHz의 1V VPP인 사인파를 입력하고, 노드 A와 C의 신호를 측정하시오. 노드 A에서 노드 C의 전압 이득
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측정값과의 오차도 크지 않았다. 다음으로는 h파라미터의 측정의 실험이었는데 이것은 공통에미터를 이용하여 실험을 하는 것이었다. 여기서는 h파마미터를 구하는데 이것이 BJT의 속성과 관련된 것이 있고 이를 통하여 BJT소자를 이용하는데
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고 I2=909.1uA가 된다.
1) 실험35 : h파라미터의 측정
1) 회로35-6
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 강의자료에 있는 2N404대신 A1266으로 PNP트랜지스터를 사용하라는 것을 확인하여 그것으로 사용하려고 했으나 확인해본 결과 두 개의 소자가 모두
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소자의 파라미터와 회로의 드레인 저항에 의해 결정된다는 이론을 바탕으로 진행하였습니다.
먼저 트랜지스터의 Idss와 Vp의 값을 측정을 하였습니다. 특성 커브트레이서가 없어 책의 순서에 따라서 측정 할 수 있었습니다.
다음으로 공통 소
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e이다. 비교를 위해 Bias Aging 처리 직후의 Transfer curve를 같이 삽입하였다.
표 5-2는 2일 후에 재측정 한 소자의 파라미터들을 Bias Aging 직후의 소자 특성과 비교하여 정리한 것이다.
그림 5-6 Transfer curve (2 days later)
Parameter
After Bias Aging
(fit line slope:
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