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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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회로로부터 분리된 저항을 이용해야한다.)
(저항측정할 때 DMM의 단자전압측정회로 )
3.4 5㏀, 10㏀ 저항이 병렬 연결된 저항에 5㏀ 저항이 직렬 연결되어 있다. 이것의 양단에 5V 전원 (power supply)이 연결되어 있는 회로를 그리고, 또 각각의 저항
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3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. RL 및 RC병렬회로
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R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙과 저항의 직렬 병렬 R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙
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회로처럼 보이지만 간단하게 평면을 만들어보면 R4에는 전류가 흐르지 않고 R3, R1+R2, R5+R6가 병렬로 연결된 회로인 걸 쉽게 알 수 있었다. ❑실험목적
● 옴의 법칙
<저항값 읽기>
<저항으로 이루어진 직류회로>
<가변저항이 포함된 직
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결과를 기입하라.
% =
% =
% =
% =
%
%
%
%
11.02%
10.86%
23.157%
0.124%
3. 전압분배기 바이어스 구조
a. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 그림 9-2의 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.
R1(meas) = 32.87㏀
R2(meas) = 6.79㏀
RC(meas) = 1.927㏀
RE(meas) = 678
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a)와 5(b)의 결과를 비교하라.
계산값이 다르나 차이가 작아서 무시할 수 있다.
이러한 오차는 DMM 내부에서 발생하는 2mA과
회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
c. Si 다이오드에 대해서 ID = 2mA에서 5(a)를 반복하라.
d. Si 다이오드에
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회로
전압 분배기 바이어스 회로에서는 가 전압 분배기 바이어스 전압과 소스 저항의 전압 강하에 의해 결정된다. 즉, 그림 13-4의 회로에서
그리고
a. 그림 13-4의 회로를 구성하고, 측정한 저항값들을 기록하라.
b. 순서 1에서 결정한 와 의 값을
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회로 설계
Cost 수는 19(Gate의 수) + 38(Input의 수) = 57이다.
Common module이 있으면 있는 것끼리 묶어서 Cost의 수를 최대한 줄였다.
7. 프로그램(Max+ 2) 구현 결과
구현 결과 통해 입력 값에 대한 출력 값 a~h값이 제대로 작동함을 알 수 있다.
8. 사용한
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회로에서 흐르는 전류 I1, I2, I3를 ‘중첩의 원리’를 적용하여 구하라.
sol)
① PSIM으로 시뮬레이션 해보았을 때,
- I1, I2, I3는 각각 0.233[A], 0.033[A], -0.267[A}가 나오는 것을 확인 할 수 있었다. 이제 중첩의 원리를 적용하여 위 결과와 일치하는지
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