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실리콘은 원자 레벨에서 FCC 다이아몬드 격자 구조를 가지는 결정이다.
결정 방위는 밀러지수로 정의되는데 MOS 장치에서 (100) 방향이 가장 일반적으로 사용된다. 다결정 실리콘은 CZ(Czochralski)법과 결정 인상 장비를 사용하여 웨이퍼 제작을 위
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Wafer Preparation
2. Czochralski growth Method & Floating Zone growth Method
3. Cz grower(puller) : furnace, crystal-pulling mechanism, ambient control system
4. Pull speed(v), Segregation coefficient(k)
5. Wafer shaping > Grind, Lapping, Etching, Polishing
6. Current and future trend
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Wafer, Speciality Gas, Die Attach
국내업체의 공급율 : 약 58%
국내업체의 생산구조 : 자체 생산기술이 취약하여 주로 선진업체와 합작
생산. 반도체 재료업계의 약 80%가 외국기업과의 자본 및 기술제휴
주요 제품별 국내수요 : 실리콘웨이퍼(29.3%), 리
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실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플롯존법(Float Zone Method, FZ)
* 그 외의 결정 성장법
반도체 제조 기술
1. 워이퍼 세척
2. 웨이퍼 표면의 오염원과 오염원의 검출
3. 웨이퍼 세척 과정
4. 에칭
5. 습식 식각
6. 실리콘
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Wafer 자동선별
Chip들의 불량 여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 골라 낸다. 불량 제품은 검은 잉크로 동그란 마크를 찍어 분류한다. (기흥 삼성반도체의 경우 FAB 의 최종공정에 EDS를 운영한다)
15.Wafer 절단
웨이퍼에 그려진 하나하나의 Chip들
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