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Substrate 준비 및 표면처리
- 각각의 Substrate를 diamond 칼을 이용해 자른다.
- 표면을 EtOH와 IPA를 통해 닦아준다.
- 대조군과 실험군을 만들어 표면처리를 시켜준다.
- 물, EtOH 등의 용매를 이용하여 각각의 wettability를 확인한다.
②Sampling
- 준비한 Sub
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Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputtering장치 매뉴얼
네이버 백과사전
신기술연구소논문집(Journal of the institute of new technology) ISSN 1226-184X 
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Substrate Integrated Waveguide)이 제안되었다. 기판집적도파관은 기존의 Rectangular waveguide와 기본 모드는 같으면서 기존의 Rectanglar waveguide 보다 크기가 작고, 가벼우며 다른 전송선로와의 통합이 쉬운 장점을 가지고 있다. 기판집적도파관의 구조는
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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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파수는 이다.
최저모드는 이고 이다.
고차모드는 기본모드인 TE10이외에 TE20,TE01,TE11(=TM11)이 있다.
3. Substrate integrated waveguide의 장점(Rectangular waveguide)
SIW는 근사적으로 RWG를 근사한 것이다. 도파관은 고전력 및 저손실을 장점을 갖고 있다. 도파
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