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Ohmic Contact와는 약간 다른 모습의 약간의 곡선형태를 띄는 Ohmic Contact을 얻을 수 있었다.
Schottky contact의 그래프와 다르게 Ohmic contact 그래프에서는 (+)전압과 (-)전압, 양쪽다 전류가 흐르는 것을 실험을 통해 확인 할 수 있었다. 이러한 현상이 나
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Ohmic contact
전압-전류 특성이 옴의 법칙을 따르는 금속과 반도체와의 접촉.
도핑 농도가 낮은 반도체에 금속이 접촉되면 접촉면에 전위 장벽이 형성되기 때문에 양호한 오믹 접촉을 기대할 수 없다.
전위 장벽의 높이는 금속의 일함수를 φ
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contact
1.1 Energy levels in crystals
1.2 Neutral contact
1.3 Blocking contact(Schottky contact)
1.4 Ohmic contact(Mott Gurney contact)
1.5 Metal-Insulator-Metal(MIM) contact
2. Image-force effect
2.1 Image force effect in case of a single interface
2.2 Image force effect in case of a MIM st
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ohmic contact(non-rectifying contact)
MOS-C의 변수들은 x에 의해서 변하는 1차원적인 구조
3. Energy Band Diagram
4. Effect of an Applied Bias(P-MOS cap.)
5. Charge Distribution (dc bias + ac bias )
Accumulation
Depletion
Inversion (low frequency)
Inversion (high frequency)
6. Ideal C-V c
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don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off.
5. Summary 1. What’s HEMT?
2. 2DEG
3. Polarization
4. Contacts
5.
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Contact과 Ohmic Contact 16
1. Schottky Contact 17
2. Ohmic Contact 20
제 5 절. Poole-Frenkel 효과 23
1. 두꺼운 절연체 (트랩 無) 23
2. 두꺼운 절연체 (트랩 有) 24
3. 두꺼운 절연체 (트랩 有 or 無 ) 25
제 6 절. Fowler-Nordhei
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