GATE 공정 항목

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목차

Gate 공정
Gate 형성 공정 step별 이해
Gate profile과 cell 특성
TR별 drain 구조 및 특성

본문내용

Gate step은 가장 작은 pitch의 공정으로 패터닝상으로도 어려울 뿐 아니라, profile의 미세한 변화가 셀 특성에 매우 민감한 영향을 끼치는 공정이다

Flash memory의 gate etch는 stacked-gate 구조로 인해 mask / c-poly / ono / f-poly etch의 4단계로 이루어진다

Gate etch후 damage curing을 위해 실시하는 Gpox 공정은 cell 산포에 직접적인 영향을 미친다

키워드

Gate 형성 공정 step별 이해,   Gate profile과 cell 특성,   TR별 drain 구조 및 특성