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공정이다
Flash memory의 gate etch는 stacked-gate 구조로 인해 mask / c-poly / ono / f-poly etch의 4단계로 이루어진다
Gate etch후 damage curing을 위해 실시하는 Gpox 공정은 cell 산포에 직접적인 영향을 미친다 Gate 공정
Gate 형성 공정 step별 이해
Gate pr
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STEP BIAS(V):? EX)0.5 (ENTER)
CAPACITANCE Min(pF): ? Ex) 0 (ENTER)
CAPACITANCE Max(Pf): ? Ex) 150 (ENTER)
7.측정이 끝나면 STOP[(ENTER)
8.QUIT
양쪽 단자에 Al 전극을 입힌 wafer를 지지대에 올려놓고 접촉시킬 바늘을 도트 중앙에 잘 맞춘다. 프로그램을 실행시킨 뒤 C-V 특성
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공정무역 과정 등을 감시하고 정부와 함께 비정부기관으로써 감시의 임무를 수행해야 할 것이다.
Ⅳ. 결론
- 폭스콘 중국 공장사태를 통해 이해관계자별 문제점을 찾아보고, 제도적, 실천적, 운동적 방법에 따른 책임과 해결방안에 대해 우리
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Step
Green Matrix Mask Blue Matrix Mask C. 2-Step D. Final Coating
우리가 실험한 Color Filter용 MASK이다. 이것의 구멍이 뚫린 위치로 보았을 때, Negative PR 코팅용으로 알 수 있다. 즉 빛을 받지 않는 부분이 제거가 된다.
Negative PR용 MASK의 개략도
M
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이해(쟁점)” - 전국교직원노동조합 논평 ꊱ 들어가며
ꊲ 한국의 공교육의 전개 과정
1. 공교육의 역사
2. 한국의 근대적 교육 체제와 문제점
3. 평등지향 정책 - 평준화의 시행
ꊳ 우리나라 교육정책
1. 평등지향 교육
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