트랜지스터역사

목차

1. 트랜지스터의 변천사

2. 진공관

본문내용

2.3. 3극 진공관
2극진공관의 문제점
격자전극에 가하는 전압을 변화→전류의 양을 제어
마이너스 금속에 큰 전압을 걸어 다량의
전자를 공급하면 격자전극의 저전압도
증폭됨→증폭작용
전축의 앰프의 원리
2.4. 진공관과 다이오드의 비교
대형 ↔소형
단수명 ↔번영구적
소비전력이 크다 ↔ 소비전력이 크다
3. 다이오드
순방향전류 : 확산전류-다수&소수 캐리어 중요
역방향전류 : 표동전류-공핍층의 폭의 증가
4. Transistor
Bipolar junction Tr (BJT)
전계 효과 Tr(FET)
목적 : 스위칭 & 증폭작용
FET의 종류
JFET(Junction Field Effect Tr)
Gate전압은 p-n접합의 공핍층을 변화 시켜
전류를 제어
MESFET(metal-semiconductor FET)
MISFET(metal Insulator-semiconductor FET)
Gate전극과 반도체 사이에 절연체 삽입
ex)MOSFET

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