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테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2003
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PRAM ..................page. 3
2. The features of the Phase Change Memory ..............page. 3
2-1. The advantages of the Phase Change Memory .........page. 4
2-2. The disadvantages of the Phase Change Memory ............page. 4
3. The Development of the Phase Change Memory ..........page. 5
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onyx사와 공동으로 연구개발팀을 만들어 PRAM 기술의 실용화에 착수했다. 2004년 6월에 열린 VLSI 심포지엄에 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 칩면적이 0.32㎛2을 가진 8Mbit PRAM을 발표했다.
일본은 동일 재료를 사용하고 있는 광정보저장 분야에서 세계
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PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
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1. PCRAM 등장배경
-기존 대표적 메모리의 종류
(1) 휘발성메모리:
(2) 비휘발성 메모리:
- 상변화 메모리의 등장(PCM, PRAM, PCRAM 등)
2. PCRAM(phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram
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PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백운규. <PoRAN 최근 연구 동향 및 향후 개발 방향>. 물리학과 첨단기
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