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CVD에 비해서 좋지 않다. 또한 장치가 복잡하고 가격이 비싸 대량 생산이 어려운 단점이 있다.
6. Photo CVD
Gas phase나 표면에 흡착된 물질을 분해하기 위한 에너지원으로 광원을 이용하는 CVD 법이다. 광원의 에너지를 반응 기체의 활성화를 이용
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
13. 금속배선(Metallization)공정
14. 웨이퍼 자동
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CVD, Photo CVD, PECVD, LECVD 등으로 분류되었다. CVD 공정은 다른 박막 증착 공정보다 순도가 높고 대량생산이 가능하며, 공정조건의 제어 범위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 사용할 수 있다. 그리고 무엇보다도 기판의 굴곡 및 3차원적 구조에
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CVD 방법
이름 : PE CVD
특징 : Plasma Enhanced CVD로서, 반응기내 혼합 기체에 전장을 걸어 Plasma 상태를 형성하여 박막을 증착하는 방법.
이름 : Photo CVD
특징 : Laser 또는 자외선의 광 에너지를 반응기체의 분해 및 박막을 증착
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CVD,Photo등 원하는공정에서 일하지 못하게 돼도 괜찮은가?
8 회사란 무엇이라 생각하며 어떤가치를 실현하나?
9 왜 이직하려 하는가?
10 지원한 프로젝트에 대해 알고 있는 대로 설명해보라. 11 현장 근무에 잘 적응할 수 있는가?
12 방진복 / 교
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