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Capacitor
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③ E-Beam의 구조와 증착원리
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4. 실험 방법
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5. 결과 예측
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6. 결과 분석
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① C-V 결과 분석
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② I-V
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MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다. 우리조는 두께가 두꺼워질수록 Capacitance와 누설전류값이 모두 감소할 것이라고 예상했다. 예상대로 Capacitanc
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MOS fundamentals
1.1 Ideal MOS structure
1.2 Effect of an applied bias
1.3 Capacitance-voltage characteristics
1.3.1 Qualitative theory
1.3.2 C-V curve에 영향을 미치는 인자들
1.3.3 Deep depletion
2. Non-ideal MOS capacitors
2.1 Metal-semiconductor workfunction difference
2.2 Ox
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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Oxide/Metal/Oxide Structure
1-2) PET Film
[2] Instrument to measure
2-1) Thermal Evaporating System
2-2) UV-IR-visible Spectrophotometer
2-3) Confocal Scanning Laser Microscope
2-4) Two-point Resistance Probe Station
Ⅲ. Experiment
Ⅳ. Res
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I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류회로에서의 파형 변화 ..................... 13
[그림 3-1] AC to DC Converter
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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층 나노복합체 코팅을 시도하여 양극재의 수명과 안전성을 크게 향상시킨 경험이 있습니다. 각 층이 서로 다른 기능을 하도록 설계해 계면 안정성과 기계적 완충 역할을 동시에 수행할 수 있게 했습니다. 실험적 검증을 통해 이 방법이 기존
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