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실험했다면, 그 진리표는 표 8-2와 같다.
입력이 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001일 경우
·입력이 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111일 경우 7. 대수논리와 드모르간 정리, 간소화
∎ 실험목적
∎ 실험부품 및 사용기기
∎
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내부저항 같이 엄청 미세한 영향은 배제하면
결과적으로 실험결과는 만족스럽게 잘 나왔다. 이것을 활용하여 다른 로직인 AND, OR, NAND등 여러가지를 구성하는 방법도 생각해 보면 좋을듯하다 1. 실험회로
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
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범위
- 출력 전압 값에 영향을 미치는 요소
- 정상적인 동작을 하는 전압 범위와 전류
Ⅲ. 실험 회로도의 측정 결과
- 클럭의 에지 구성
- 0V와 floating의 차이
- 출력에 LED를 연결할 때 출력에 미치는 영향
Ⅳ. 고찰 및 후기
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논리회로를 먼저 살펴본다. 이론적으로 모든 조합논리회로는 AND, OR, NOT 의 3가지의 논리 게이트를 이용하여 구성할 수 있다. 그리고, 이들을 조합하여 생성한 NAND, NOR, XOR, XNOR 등의 논리 게이트가 존재한다. 조합논리회로를 이해하기 위해서는
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회로의 변환
◎ NAND 게이트회로를 인버터(NOT)로 활용하기
◎ NAND 게이트회로를 AND 게이트로 사용 하고자 할 때
◎ NAND 게이트회로를 OR 게이트로 사용 하고자 할 때
◎ 입력 부(“0”)논리의 NAND
5. NOT gate 회로(인버터 : Inverter)
6. NOR(NOT +
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논리회로 및 진리표 > < NOT 논리회로 및 진리표 >
< OR 논리회로 및 진리표 >
< NOT AND OR 논리회로 > < NOT AND OR 시뮬레이션 >
< XOR 논리회로 및 진리표 >
< XOR, NOR 논리회로 > < XOR, NOR 시뮬레이션 >
3. 실험 결과 값
<
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xor 연산 하는 단계를 더해 주는 식으로 회로를 구현하였다면 이런 부분에서 실수를 하지 않았을 것이라는 점을 배웠다. 이번 실험은 단순하였기 때문에 실수 하였어도 금방 복구할 수 있었으나 분명 더 복잡한 회로를 다루게 된다면 이번 실
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A+B=A·B
제 2 정리 : NAND 게이란 반전입력이 OR 게이트로 결합된 형태와 논리적으로 등 가임을 정의한 불 관계식을 의미한다.
A·B=A+B
두식을 De-Morgan 의 정리라 하며, 이 두 식은 NAND 게이트 와 NOR 게이트의 응용 및 논리회로를 간소화시키는데 널리
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논리 시뮬레이터 알고리듬은 이와 같은 VLSI의 특징을 잘 살리고 있으므로 논리 시뮬레이터는 회로 시뮬레이터에 비해 매우 효율적이다. 그 대신 시간과 전압, 게이트 모델 모두 회로 시뮬레이터보다 간단하므로 정확성은 떨어진다.
타이밍은
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회로가 되었는지 검토하여라.
『 F=W X Y Z +WXYZ +WXY Z+W XYZ+W XY Z+W XY Z +W X YZ
+W X YZ +W X Y Z+W X Y Z 』 식이
『F=WX+W X Y +X Z 』로 간략화 된다는 것을 알 수 있었다. 1. 실험제목
2. 실험목적
3. 사용부품 및 사양
4. 회로도 및 모의 실험 결과
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