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디지털 회로에서 많이 이용된다. 하지만 FET은 BJT보다 증폭률이 많이 떨어진다는 단점이 있다. 출력전압을 비교해보면 BJT는 출력전압이 입력전압의 지수함수에 비례하는데 FET의 경우 입력전압의 제곱에 비례하므로 증폭면에서 BJT가 더유리하
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회로에 연결되어 있는 상태에서는 다이얼 스위치를 돌리지 말아야 한다.
② Ohm's law
옴의 법칙(Ohm's law)은 도체의 두 지점사이에 나타나는 전위차(전압)에 의해 흐르는 전류가 일정한 법칙에 따르는 것을 말한다. 두 지점 사이의 도체에 일정
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논리회로
부울대수
영국의 조지 부울이 제창
0과 1의 2진수 표현으로 명제의 참, 거짓 전기 신호의 유와 무, 스위치의 ON과 OFF 등을 표현함
논리합, 논리곱, 논리부정 등 3가지 연산 기호를 사용하여 논리식 표현에 사용됨
논리회로(Logic C
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nt seg -- 사용 할 소회로 선언
port (
clk_4M : in std_logic;
rstb : in std_logic;
seg : out std_logic_vector (6 downto 0);
digit : buffer std_logic_vector (5 downto 0)
);
end component;
signal RSTB : std_logic:=\'0\'; -- 테스트용 시그널 선언 및 초기화
signal CLK_4M : std_logic:=\'0\';
signal DIGIT
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0
0
0
1
0
1
논리 함수 : A B
K-map을 참고 해서 논리 회로 제작
반가산기 논리 회로
2. 전가산기
진리표 작성
X
Y
Z
C
S
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
1
k-map 작성
가) 합 (S)
X YZ
00
01
11
10
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
논리 함수 :X Z' Y' + X'
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논리회로가 동작하는지 원리를 조금이나마 알게 되었고 그 결과, 이번 실험은 큰 문제 없이 빠른 시간에 해결할 수 있었다. 또한 교수님의 이해하기 쉽게 해주시는 설명과, 친절하신 조교님이 옆에서 틀린 부분도 지적해 주시고 모르는 부분
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회로도가 지금까지 짜여진 VHDL 코딩에서 얻어낸 심볼로 "lastalu"를 설계한 회로도 이다.
결론
- 이번 연산은 산술뿐만 아니라 논리 연산까지 수행하는 4 bit ALU를 설계를 하였다. 스키메틱이 아닌 VHDL의
코딩으로 회로를 설계 하였는데, 처음 과제
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7408)
특징
AND gate 4개
AND gate 진리표
A
1
1
1
1
0
0
0
0
B
1
1
0
0
1
1
0
0
C
1
0
1
0
1
0
1
0
L1
1
1
0
0
0
0
0
0
L2
1
0
0
0
0
0
0
0
결과
결과 : AND gate는 입력값 중 거짓이 있으면 결과값이 거짓이다.
5. IC NOT gate (TTL IC 7404)
특징
NOT gate 4개
NOT gate 진리표
A
1
0
B
0
1
Inv B
1
0
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1. 중앙처리장치에 대해 설명하시오
2.주기억장치 RAM, ROM비교
3. 10진수 93을 2진수로, 8진수 173을 10진수로 각각 변환하시오.
4. 텍스트 압축 방법에서 허프만 방식에 대해 설명하시오.
5. 조합논리회로와 순서논리회로에 대해 설명
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논리상으로는 입력이 출력에 바로 영향을 미치는 것으로 인식되지만 실제 회로로 구현시에는 그렇지 않다. 트랜지스터의 동작속도가 정확하게 0이 되지 않기 때문인데 보통 전달지연은 수 ns(nano second)에서 수십 ns가 걸리게 되고 천이시간도
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