|
이용한 광 CVD법보다는 빠르지만 대면적화가 곤란하여 이것을 고려한 레이저광원이나 장치구성 개발이 필요하다. 1.실험목적
2.이론적배경
3.장치에 대한 원리와 방법
4.코팅과정과 반응장치.
5. 분석기구
6. CVD 기술과 종류
|
|
|
실험의 예를 들어보면 6.35㎜ 두께의 펑 스프링을 AISI 9260 STEEL로 만들어 QUENCHING후 HRC 40-45 TEMPRING 한 것을 CONSTANT DEFLECTION TYPE FATIGUE MACHIN을 사용하여 STRESS CYCLE을 0에서 최대까지의 GRAPH를 작성한 것이 다음 그림이다. 목차
1.응력집중효과의
|
|
|
피하고 있다.
3. 결론
기판에 증착된 박막의 두께는 0.34 이었다.
4. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
전자재료실험 매뉴얼. 목적
이론
실험방법
결과및토론
결론
참고문헌
|
|
|
반도체 원천기술 연구소 응용소자 연구부 / 2002
[4] 권순기 / 유기띠 재료의 개발동향 / 디스플레이 교육센터 /2004
[5] 권지인 / 정보통신산업 동향 : 유기 EL / 정보통신정책 연구원 / 2003
[6] 전자 디스플레이 / 유기 EL 최근동향 / 전자 디스플레이
|
|
|
반도체 소자를 개발하기 위해서는 특성에 커다란 영향을 주는 인자인 박막의 두께를 포함한 막의 물성을 정확하게 제어해야 한다. 실험을 통하여 박막공정의 다양한 변수를 알아 보고 실제 박막을 제조하여 측정해 보았다. 1. 실험목표
|
|
|
반도체칩처럼 일련의 공정과정을 거쳐 각종 전자, 기계 소자들을 한곳에 모아 칩화 시킨다는 것이다. 다시 말하자면 MEMS는 실리콘 반도체의 일괄제조 공정과 같은 방식으로 초소형 부품을 제조 화하고 이를 칩 위에 묶은 초소형 시스템을 의
|
|
|
실험의 테이터에 문제가 생긴 것은 아마도 소결시의 내부 크렉이 영향이 가장 크다고 보여진다.
2번과 6번의 시편은 제조 공정시 생긴 크렉으로 인한 데이터값의 불 신뢰성을 우려했었고 그에 따른 결과로 인해서 실험 결과가 나쁘게 나온 것
|
|
|
두께를 측정함으로써 특성을 관찰한다.
5. 실험보고서
(1) 증착된 알루미늄의 비저항
가. 알루미늄 질량 = 0.1g
면저항(mΩ/sq)
두께(nm)
비저항(ρ)
1
2
3
4
5
평 균
나. 알루미늄 질량 = 0.2g
면저항(mΩ/sq)
두께(nm)
비저항(ρ)
1
2
3
4
5
평 균
(2) 증착된 알
|
|
|
두께를 측정함으로써 특성을 관찰한다.
5. 실험보고서
1). 증착된 알루미늄의 비저항
(1). 알루미늄 질량 = 0.1g
면저항(mΩ/sq)
두께(nm)
비저항(ρ)
1
2
3
4
5
평 균
(2). 알루미늄 질량 = 0.2g
면저항(mΩ/sq)
두께(nm)
비저항(ρ)
1
2
3
4
5
평 균
2). 증착된 알
|
|
|
실험결과 도막간 접착력 및 내구성이 우수하였다.
2) 여러 부식가속실험후 피막도장 하부에 Cr 이 다량 함유되어 있는 산화층 형성을 확인하였으나 산화층 내부 Cr 의 분포가 균일하지는 않았다.
3) 피막도장은 공정이 일반 도장과 비슷하여 도
|
|
메뉴펼치기
