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반도체(Semiconductor)를 도체화 시켜 Source와 Drain間에 전류가 통하게 하는 소자 1. 반도체의 의미
2. 반도체 제품 종류
3. DRAM의 기본구조
4. 반도체 제조 FLOW
5. 반도체 FAB제조 공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정
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공정을 6 단계에서 3 단계로 줄일 수 있고 아울러 사용되는 많은 양의 chemical과 gas의 양을 줄일 수 있어 반도체제조 공정과 연관된 환경부담을 크게 줄일 수 있다.
제4 분야는 반도체제조 설비 및 Utility부대시설의 에너지 효율 극대화를 통한 반
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공정은 반도체를 최종제품으로 마무리하는 단계로 여기에는 리드프레임, 본딩와이어, 패키지재료, 마킹용 약품 등이 사용된다.
표1. 반도체 재료의 분류
구분
반도체 제조공정
단위공정
관련재료
비고
FAB 재료
웨이퍼 제조공정
단결정 성
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제조 회사의 마크 등을 인쇄 한다. 목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13. 금속배선
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공정
POTTING
ILB 공정이후 CHIP의 표면에 액상 수지를 이용하여 도포하여 외부환경으로 CHIP을 보호시키는기 위한 PACKAGE 형성공정
MARKING
PACKAGE의 수지도포표면위에 U.V잉크로 제품의 명칭이나 제조시기등 제품을 구분, 관리하기 위해 활자로 인쇄
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