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차동 증폭기에서 차동입력 전압의 변화에 따른 각각의 MOS에 흐르는 전류의 크기의 변화 특성. 1. 목적
2. 개요
3. 내용
차동증폭기의 특성
전류특성 그래프
MATLAB
4. 결론
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전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
VGG 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 3.5v까지 측정 )
시뮬레이션 결과 )
y축 상단에서부터 Vgs값이 -0.5, -1.0, -1.5, -2.0, -2.5, -3.0, -3.5v값을 지닌다. 1. 목적
2. 이론
3. JFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션
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집적도)에 따른 분류
1) SSI(Small Scale Intergration)
2) MSI(Medium Scale Intergration)
3) LSI(Large Scale Intergration)
4) VLSI(Very Large Scale Intergration)
5) ULSI(Ultra Large Scale Intergration)
2. 능동 소자에 따른 분류
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라형(MOS형) IC(저속, 고임피던
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회로에서 Ie가 일정해야 한다는 것이데, Ie가 일정하기 위해서는 Re가 높아야 합니다. 그러나 Re를 높이면 이번에는 Gian이 줄어들기 때문에 Gain을 줄이지 않으면서 Ie를 일정하게 하기 위한 것인 정전류원입니다. 그리고 Rc대신에도 정전류원을
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집적회로뿐만 아니라 아날로그 집적회로와 디지털과 아날로그 혼용 집적회로에도 널리 사용되고 있다. 전계효과 트랜지스터는 집적도가 높고, 제조 공정이 단순하며, 양극성 접합 트랜지스터와는 대조적으로 전류 흐름이 한 가지 형태의 전
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