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스간 저항
0.831Ω
무한대
결과
5.발광다이오드(LED)의특성실험
결과
LED전류 - 전압 측정
IF (mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VF (V)
1.874
1.916
1.947
1.974
1.996
2.019
2.039
2.059
2.079
2.097
에미터접지트랜지스터의특성실험
결과
e이번 실험에서는 우선 첫 번째
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트랜지스터
(2) 베이스 전송률
(3) 이미터공통 직류전류 이득
4. Simulation Result
실험1) PNP 다이오드의 4가지 특성
실험2) NPN 다이오드의 4가지 특성
실험3) PNP 공통 에미터 접지 회로
실험4) NPN 공통 에미터 접지 회로
5. Experiment Result
6. co
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전계효과 트랜지스터라고 합니다.
베이스에 가해주는 전압(전계)의 세기를 조절해서 공핍층의 두께를 조절하는데 이때 공핍층이 두꺼워지면 전류의 흐름이 막혀서 적게 흐릅니다.
반면 전압을 조절해서 공핍층을 없애버리면 전류가 많이 흐
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트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
< 특성 곡선의 Y축 그리기 >
[2]예비 실험 결과
전원 전압 VS
컬렉터 전류 iC
컬렉터에미터 전압, VCE
베이스 전류
계산
측정
계산
측정
계산
측정
[3]예비 실험 결과 분석 및 고찰
베이스 전
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트랜지스터 베이스에 입력 직류 전류는 변화되고, 베이스 전류의 변화는 컬렉터 전류를 변화시키므로, 트랜지스터 전류 이득에 비례하여 입력 전류가 증폭된다.
트랜지스터 이미터 공통회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구
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