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JFET을 이용한 증폭회로 구성
Function Generator의 전압 : 20mV
Channel B의 전압 : 42.85mV
전압 이득 : 2.14
3. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 JFET의 특성에 관한 실험이었다. JFET을 사용해 증폭기 응용회로를 만들 수 있었다. 증폭 회로는 JFET의 Gate에 순 바
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회로부터 를 구하여 얻을 수 있는데, 이면
로 주어진다.
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6) 100k Hz
(7) 500k Hz
시뮬레이션 결과 JFET 회로는 반전 증폭기의 특성이 나타났는데 그래프 상으로 전압이득은
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이용하여 를 구한다.
전압 분배에 의해,
특성 방정식,
전압 이득의 표현은 JFET와 D-MOSFET 회로와 같다.
여기서,
E-MOSFET
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
드레인 증폭(common darin) 접속은 FET에 대한 또 다른 기본적인 증폭기 구성이다. 소
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JFET 입력인 경우 수십 pA까지도 내려간다. 신호원 출력 임피던스가 매우 큰 경우 문제가 생긴다.
●입력 바이어스 전류간의 차
■ CMRR의 의미
동상제거비(CMRR) :
동상신호를 제거하는 척도를 말하며 연산증폭기의 성능척도의 중요한 요소이
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증폭기’와 특성이 비슷하다는 사실을 알았다. 공통 이미터 증폭기와는 입력 임피던스의 크기가 크다는 점이 달랐지만, 회로의 구성을 바꿔줌에 따라 전압이득이 커지고 작아지는 특성은 비슷하다는 사실을 알 수 있었고, 공통 이미터 증폭
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