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기술되었다. 1. Why Cu interconnect?
2. Benifits of Cu interconnect
3. Cu/Low k interconnect challenges
4. Metallization process comparison
5. Dual Damascene Approaches
6. Major challenges of Cu interconnect
7. Cu Dual Damascene Process Flow
8. Evolution of CMP
9. CMP Tec
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al-qulb\',\" Tractata Altaica, ed. W. Heissig, Wiesbaden: Otto Harrassowitz, 1976.
Joseph F. Fletcher, edited by Beatrice Forbes Manz, \"Integrative History: Parallels and Interconnections in the Early Modern Period, 1500-1800,\" Studies on Chinese and Islamic Inner Asia, Aldershot, Great Britain ;
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Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 등이 있습니다. 그럼, 실제 금속 배선 공정(Metal Interconnect)은 어떻게 이루어지는지 알아보도록 하겠습니다.
■ 반도체용 금속 배선 재료의 대표주자, 알루미늄(Al)과 텅스텐(W)
대표적인 반도체용 금속 배선 재료인 알루
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d Wheel)
BLIP : Beam Leaded Interconnected Packing
Bonding Pad : 반도체 Chip(Die)의 내부회로와 외부의 회로를 연결하기 위해 도선(Wire)을 연결하게 되는데, 이때 Chip위의 접착(Bonding) 부위에 Aluminum(Al) 등의 금속 증착 피막을 입힌다. 이 접착 부위를 Bonding Pad리
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