|
- Epitaxy 란?
기판웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는
얇은 단결정 막을 기르는 기술
HVPE는 현재 차세대 광원으로 각광
받고 있는 GaN기판 제작법
고속성장, 소자용 결정층의 제작에 용이,
낮은 온도에서 제작&nbs
|
|
|
HVPE법으로 N-GaN Cladding Layer 성장
다. InGaN Active Layer 성장
Ga-In 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 In0.20Ga0.80N Active Layer 성장
라. P-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Mg 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 P-GaN Cladding Layer 성장
바. Electrode 연결
Ⅲ 결론 및 고찰
LED(Light Emitt
|
|
|
수소화물 기상 에피택시
(HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)
01
〔단결정 박막의 원료 물질〕➠ ➠〔고온로 내에 도입〕
（기상 에피택셜 성장이란?）
〔 화학 반응 또는 열분해〕➠
|
|
|
속도가 초크랄스키법 속도의 1/1000.
두께가 수 ㎛ 정도인 소자용 결정층의 제작에 이용
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해짐 화합물 반도체란?
에피택시 (Epitaxy) 공정이란?
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)
LPE (Liquid Phase Epitaxy)
|
|
|
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등이 있습니다. CVD는 PVD 처럼 원료물질을 일단 기체상태로 운반하나 (기체에 실어 보낸다는 표현도 적합하다. 분무하는 것을 생각하시면 쉽게 이해가 되실 겁니다.) 이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일
|
|
메뉴펼치기
