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은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다.PVD는 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공을 요구한다. 즉 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃
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증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공을 요구한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서
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PVD의 정의
진공상태에서 화학반응을 유발시키지 않고 증착 시키려고 하는 물질을 Vaporized Atomic 형태로 Thin Film을 형성 하는 것을 의미.
PVD의 종류
스퍼터링, 전자빔증착법, 열증착법, 레이저분자빔증착법, 펄스레이저증착법등.
→ 증착 시키
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lass를 이동 시킨다. 증착은 다양한 종류가 있지만 이번 실험은 열증착기를 이용하여 BaF2(0.1Å/s, 2nm)/Ba(0.2Å/s, 1nm)/Al(5Å/s, 200nm)순으로 전극을 증착한다.
- Transfer chamber는 증착하러 들어갈 땐 상압에서 진공까지(10-5atm) 진공을 잡아주고, 나올 때
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착
①EIL과 전극물질을 증착하기 위하여의 열증착기(Thermal evaporator)의 고진공 챔버(1×10-6 torr 이하)로 이송하며, BaF2(0.1Å/s, 2nm)/Ba(0.2Å/s, 1nm)/Al(5Å/s, 200nm)순으로 전극을 증착한다.
4)봉지공정
①유기물과 금속 전극이 증착된 소자를 glove box로
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증착 시켰으며, 이때 RF 전력은 700W로 하였다. 가스 주입전의 스퍼터 챔버의 진공도는 torr 이하로, 에 대한 유량비를 각각 0%, 1%, 2%, 4% 그리고 6%로 변화시켰다. 타겟 표면의 불순물을 제거하기 위하여 Ar가스 하에 5분간 pre-sputtering 한 후 시료의
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착에 관심이 많았던 저는 귀사를 주의 깊게 쳐다보고 있었습니다. 제어계측 공학과를 전공하여 “전공분야와도 잘 맞다.“라는 이유도 있었지만 무엇보다 진공관련 업무를 할 때 기쁨을 느끼기 때문이었습니다. 그것은 제 적성에 맞습니다.
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진공 장비의 원리를, 반도체공정 수업을 통해 8대 공정에 대한 전문지식을 익혔습니다. 3학년부터는 학부연구생으로 OO대와의 협력 프로젝트에 참여하며 실무 역량을 기르고 있습니다. 저는 학부연구생의 리더로서 기판에 금속 박막을 증착하
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진공 플라즈마에 대한 지식은 공정을 이해하는데 큰 도움이 될 것입니다.
세 번째로 반도체 공정실습에서는 Inductor역할을 하는 웨이퍼를 제작하였습니다. 이 과정에서 노광,식각,증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한
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