|
PVD는 PDP에서 금속 전극 및 유전체 증착과 도금 분야에 많이 쓰인다.
3.실험장치 및 시약조사
Convection Oven, Thermal Evaporator, Glass Substrate, Beaker, Crucible, Shadow Mask
(시약)
Acetone
화학식 CH3COCH3이다. 분자량은 58.08으로, 향기가 있는 무색의 액체이다. 물
|
|
|
(Doping)-열확산법
21. 불순물 주입공정(Doping)-이온주입법
22. Annealing
23. Poly-Si 형성 공정
24. 금속막 형성공정
25. PVD-Evaporation
26. PVD-Sputtering
27. 평탄화 공정(Planarization)
28. 평탄화 방법(Spin On Glass, CMP)
29. 세정 공정(Cleaning)
|
|
|
PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구한다.
먼저 PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser
|
|
|
2-1.박막제작방법
2-2. 물리적 증착법 (PVD, Physical Vapor Deposition)
2-3.진공 증착법(Vacuum Evaporation)
2-4. 피복층 조직
2-5. 진공 증착법의 특징
2-6. 적용 범위 및 응용
3.실험장치 및 시약
4. 실험방법
4. 분석
5. 결과 및 토의
|
|
|
쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
|
|
메뉴펼치기
