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Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
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한다. Unbalanced magnetron 스퍼터링 장치는 세 가지 기본 형태가 있다.
① Ⅰ 형 태 : 강한 내부 pole, 약한 외부 pole ⇒ 기판에 충돌하는 이온의 비율이 매우 낮다. (이온:증착원자=0.25:1).
② 중간 형태: 거의 균형, 보통의 magnetron
③ Ⅱ 형 태 : 약한 내
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magnetron - 증착된 atom 당 0.3∼0.4 이온의 이온 충돌 유속
③ unbalanced magnetron
a) 기판의 이온 전류 밀도가 15mA/cm2이상으로 증가
b) 낮은 기판 bias와 온도에서 거의 void가 없는 막 생성 가능
c) grain 내의 결함 집중 감소, 막 내부 응력 감소
Figure . Results
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magnetron 스퍼터링 및 UBM(unbalanced magnetron) 스퍼터링에 대해서 설명 및 비교하여라.
(3) 박막의 특성평가 방법들의 종류와 그 원리 및 얻게 되는 정보에 대해 간단히 정리하여라.
(4) 입혀진 박막의 접착력을 ASTM D3359-87 방법에 준하여 평가하고,
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