박막 제조법

목차

** Evaporation **
1. 서 론
2. Deposition Mechanism
3. Thickness measurement
4. Thin film growth process
5. Heating source
6. Deposition of materials
7. Deposition 의 종류
8. Properties of evaporated films


** Sputtering **
1. 서론
2. Gas Discharge의 원리


** CVD (Chemical Vapor Deposition) **
1. CVD (Chemical Vapor Deposition)
3. CVD의 종류
4. CVD Reactor
5. CVD Kinetics
6. LPCVD
7. Si, SiO2, Si3N4 박막형성 공정
8. 저온 CVD 공정
9. PECVD

** Sol-Gel process **
1. Sol-Gel 법의 발전
2. Sol-Gel 법이란
3. Sol-Gel 법의 원료
4. 금속 알콕사이드
5. Sol-gel 반응
6. Si(OR)4의 가수분해 및 중축합 반응
7. Sol-gel 법으로 제작한 코팅막
8. 졸-겔법의 장점 및 단점
9. 졸-겔 과정의 연구에 응용되는 특성분석 방법
10. 세라믹스 박막으로의 응용

본문내용

1.  서 론
    - 1857년  Faraday 개발
    - 진공중에서 물질을 가열하여 증발
    - 장점   1)  비교적 간단하다( 구성, 물질등)
                2)  물성연구에 적합( 핵생성 및 성장, 박막형성의 형태등)
    - 단점   1)  접착이 약함
                2)   Low quality thin film
                3)  Tm 이 높은 물질 즉 Pt , Ta, Ti, W 등의 증착이 어렵다.
   2.  Deposition Mechanism
       2.1.  Hertz -Knudsen Equation
2.2 Mean Free Path ?    평균자유행로
2.3  Variation in deposition rate
to ; thickness at the coated surface directly above or below the source
    tx ; thickness of deposition at some distance ,x from the center of the coated  surface   
h ;  distance between source and substrate
3. Thickness measurement, t
    source 의 무게 = 4 π r2 * t
4. Thin film growth process
    -  Species ( Ex:

키워드

박막 제조법,   Sol-Gel process,   Chemical Vapor Deposition,   CVD,   Sputtering,   Evaporation