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화학적 기계적 연마 개념 및 도입 목적
CMP 공정의 개략도
- CMP 공정의 기본 원리
- CMP 구성 및 공정 원리
- CMP 구성 요소
세계 시장 기술 및 시장 분석
국내 시장 기술 및 시장 분석
장비 기본 설계 개념 및 개념도
화학적 기계적
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Polisher : 일정한 압력과 속력으로 회전하며 막을 Polishing하는 장치
Post Cleaner : Polishing 완료후 Wafer 표면의 이물질을 제거하는 장치
Slurry : Chemical Polishing 요소를 갖는 연마제
Pad : Mechanical Polishing 요소를 갖는 연마포
Slurry Distributor : Polisher에 Sl
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CMP 설명
Chemical Mechanical Polishing
Chemical Mechanical Planarization
Wafer를 화학적 반응(Chemical)과 기계적 힘(Mechanical)을 이용하여 평탄하게(Planarization) 연마(Polishing)하는 반도체 공정.
(Effective) Pattern Density 의 차이← Pattern Layout, Dummy, 증착 방식 및 Pat
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1. 시장분석
CMP 란?
Chemical Mechanical Polishing
Chemical Mechanical Planarization
Wafer를 화학적 반응(Chemical)과 기계적 힘(Mechanical)을 용하여 평탄하게(Planarization) 연마(Polishing)하는 반도체 공정. CMP 공정 도입 배경
CMP 장비구성
CMP 년간 유지비용 및
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화학적 기계적 연마(CMP) 슬러리 조성에 사용되는 연마 재료의 특성
CMP 공정은 화학적(Chemical) 연마와 기계적(Mechanical) 연마
CMP 장비 및 공정 개략도
CMP 슬러리란
CMP 장비구성
CMP Consumables Market
Slurry 시장현황 (국내,해외)
Slurry Forecast (~2020)
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방법
3.1 합금설계
3.2 Polishing
3.3 인장 시험 시편 제작
3.4 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)
3.5 인장 시험
4. 실험 및 고찰
4.1 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)를 통한 미세구조 관찰
4.2 인장 시험을 통한 최대 인장강도 및 ductility 비교
5. 참고문헌
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