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0.18μm Tech를 위주로 공정을 설계하였습니다.
단위공정에 대해 공부를 한적이 있다면
알기쉽게 정리되어 있으며
STI, LDD,Poly Gate등 여러 기술들을 사용하였습니다. 1. 문턱전압을 조절하기 위한 이온주입양 설계
2.. 트렌지스터의 폭과 너
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설계방법
비순환 공학
단순비용
전력소비
구현복잡성
시장진입시간
성능
유연성
FPGA
낮음
높음
보통
보통
낮음
보통
높음
SOG
보통
보통
낮음
보통
보통
보통
보통
◎참고문헌 및 자료 출처
- Neil H.E Weste저, 백준기 역, CMOS VLSI설계원리, PEALRSON, 3
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공정 기술, 청문각, 2006
□ 한규일, 실리콘 나노 결정 Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계
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설계 기술을 들 수 있는데 특히 후자의 기술이 확보됨으로써 실용 수준의 동작 특성을 갖는 단위 메모리 셀 및 어레이의 구현이 가능하였다고 할 수 있다. 따라서 비록 미국의 ECD와 그 후신인 Ovonyx에 관련 물질, 소자구조 및 제조공정 등에 대
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Ⅰ. 서론
1. 공정설계 소개
2-Propanol(Isopropanol)은 반도체 생산, 페인트, 화장품 그리고 약품의 용매 뿐 만 아니라 아세톤 생산을 위한 공급원료로서 중요한 물질이다. 2-Propanol은 산업적으로 다공성에 지속되는 H3PO4, SiO2, 또는 이온교환수
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