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Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
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p. 8
4. 실험 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 분석
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p. 12
① C-V 결과 분석
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p. 12
② I-V
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그래프를 얻을 수 있었다. 이 실험을 통해 좋은 MOS Capacitor를 만들기 위해서는 얇은 박막, 그리고 좋은 Uniformity를 얻을 수 있는 증착기술이 필수적임을 깨달았다.
7. 참고문헌(reference)
[1] Solid State Electronic Devices(6th edition) - Ben Streetman, Sanjay Banerj
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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I-V 나 C-V 측정으로써 알아볼 수 있고, 이러한 조건으로 소자를 만든다면 전기적으로 우수한 이상적인 MOS Capacitor를 제조할 수 있다. 1. 실험목적-------------------2
2. 관련이론-------------------2
3. 실험방법-------------------3
4. 실험결과--------
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그래프
λ=1.54Å에서 2θ가 32.22°일 때 최고 peak(최대강도)를 갖는다고 우리 실험에서 나왔다.
이 수치를 이용하여 Bragg's law λ=2dsinθ에 대입하면 BaTiO3의 면간거리를 계산 할 수 있다.
③ SEM 결과 사진
제 5 장 참고문헌
-참고 문헌 (Reference)
재료과
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실험 방법 ․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․․ 5
1. 토양의 종류에 따른 소엽 종자의 발아율 조사 ․․&
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변화하게 된다. 전기 신호가 pulse일 경우, Vreset 과 Vset을 인가하여 저항이 큰 상태와 저항이 작은 상태를 구현 할 수 있다.
이번 실험은 RF Magnetic sputtering 을 이용 하여 박막을 여러 조건 별로 성장하여 그 특성을 I-V 곡선을 이용하여 분석하고
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응답속도 11
[그림 3-1] 프리틸트각의 측정 14
[그림 4-1] 배이킹 시간에 따른 프리틸트각 15
[그림 4-2] 결정회전법으로 나타난 그래프 15
[그림 4-3] TN 상승시간 16
[그림 4-4] TN 하강시간 16
[그림 4-5] OCB 상승시간 17
[그림 4-6] OCB 하강시간 17
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I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류회로에서의 파형 변화 ..................... 13
[그림 3-1] AC to DC Converter
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실험 기법을 적절히 활용하는 역량이 필수적입니다.
Q7. 최근 이차전지 시장 동향과 그에 따른 연구 방향 변화에 대해 어떻게 파악하고 있나요?
A7. 전기차 및 에너지 저장장치 수요 증가로 고에너지 밀도, 고안전성 소재 개발이 가속화되고 있
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