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실험 결과
시편
크기 (cm)
전압(mV)
두께
전류(mA)
IGO
1×3
422.9
300nm
100
실리콘
1×1
4.281
1mm
100
ITO
1×1
229.5
200nm
100
4-point probe방법
4.실험 방법
실험 A.
1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다.
2. 금속과 반도체의 전기적
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측정
5. 실험결과
1)고정변수 : 초기진공 1.2x10-5torr, RF파워 60W, Ar주입량은 모두 같은 조건이 므로 따로 생각하지 않는다.
2)실험변수 : 증착시간(두께), 증착압력
증착압력
증착시간
면저항
증착두께
1조
1.1x10-1 torr
30분
2.655 ㏀
2000 Å
2조
2.1x10-2 to
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면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사를 통해 알게 되었고, 또 이 면저항을 왜 측정하는지에 대한 이유도 알게 되어, 뜻깊은 실험이엿다. 1. 실험목적
2. 이론
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3. 실험결과
박막의 종류
박막의 두께
시편의 크기
측정 전류
측정 전압
측정 면저항
계산 면저항(이론값)
2조 IZTO(n-type)
340nm
1.5*1.5
100mA
275.8mV
12.38
12.1
4 point probe의 보정계수는 4.53이고 전류범위는 auto로 설정해 놨는데 이때 전류의 범위를 잘못
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, 조사를 통해, 면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사를 통해 알게 되었고, 또 이 면저항을 왜 측정하는지에 대한 이유도 알게 되어, 뜻깊은 실험이엿다.
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