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공정기술』,2006 1. 실험목적
2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)
3. 실험방법
4. 실험결
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산화막으로 많은 연구가 수행되고 있다.
3. REFERENCE
http://optics.hanyang.ac.kr/~shsong/hitechphysics-note/plasma/17.htm
http://www.postech.ac.kr/ce/lamp/
http://mse.hanyang.ac.kr/ulsi/
http://www.law.hanyang.ac.kr/~hjeon/members.htm 1. 반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2.
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산화막으로 유입된다.
세심한 주의를 기울여도 불순물의 유입을 완전히 차단시키기는 어려운것이며, 산화중에 불순물 유입공정을 동시에 수행하면 좋은 효과를 볼수 있다. 다음 그림은 HCl분위기에서 산화시킬때 HCl의 몰%에 따른 Qm을 나타낸
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산화물 층에 이물질이 섞여 들어갈 것이다. 치밀하고 균일한 형성을 방해하게 될 것이다.
6. 결론(conclusion)
MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다.
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두께가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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