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1. 화학기상증착(CVD)법
- 화학기상증착(CVD)은 여러가지 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 널리 쓰이고 있는 방법이다. 간단히 말하면 반응기체의 유입 하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 것을 일컫는데,
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D와 같은 화합물이 아닌 단원자 상태의 전구체를 사용해 박막을 형성하는 원차층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)법을 이용한 성막 공정이 차세대 반도체 소자 제조 공정에 중요하게 적용되기 시작하였다. ALD 공정은 전구체가 기판표면에 흡착 후,
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증착이란 액체가 증기로 되어 수송되고 성막되는 과정을 말하며,고체가 바로 증기가되어 수송되는 것을 승화라 하며,이것이 박막이 되는 기본 메커니즘이다.
박막의 제조방법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기
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증착될 기판의 표면이 처음부터 깨끗하지 못했을 수도 있다. 이는 적절한 이물질 제거 기술로 해결할 수 있을 것이다. 실험장비 저성능 문제나 과정에서의 잘못 등은 더 성능이 좋은 장비와 실험법 숙달로 해결 할 수 있을 것이고 다른 부분에
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증착되어 막을 형성하는 것이다.
아크 방전은 원리상 대기압에서도 일어날 수 있으나 진공에서
일어날 때 박막의 질이 훨씬 더 우수해진다. 음극 아크란 무엇인가?
음극 아크를 이용한 박막 증착법의 원리
음극 아크를 이용한 응
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법 ‥‥‥‥‥·‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥4
(1) 초저압 화학기상 증착법
(2) 열처리에 의한 재결정법
(3) 직접 증착법
(4) 엑시머 레이저 열처리법
ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥
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리 방법과 adhesion layer 증착법이 있었는데, adhesion layer와 촉매를 하나의 장비에서 연속적으로 증착이 가능하므로 공정의 효율성을 고려하여 adhesion layer 증착법을 선택했습니다. 또한, 물질로는 OO 또는 XX이 있었는데, XX은 OO와는 다르게 촉매와
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증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이유와
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