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C-V 측정으로 알 수 있는 parameter
한 번의 측정으로 여러 가지 parameter를 구할 수 있는데, 구할 수 있는 parameter와 구하는 방법은 다음과 같다.
① 반도체의 doping type
C-V curve의 모양으로 n-type인지 p-type인지 알 수 있다. 즉, high frequency일 때 p-type은
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LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
3. C-V curve
MOS 커패시터의 구조는 MOSFET의 핵심이다. MOS 커패시터의 정전용량은 C = 로 정의된다. 여기서 dQ는 커패시터 양단의 전압의 미분변화 dV에 관해 한 평판상에서의 전하의 미분변화량이다. 정전용량
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C-V curve
7. Deep Depletion : DC bias와 AC bias 가 모두 빨리 변하는 경우
Inversion layer를 형성하지 못하고 depletion layer가 커짐.
Minority carrier generation 속도가 dc Gate bias 변화 속도를 따라가지 못함
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minority carrier에 의해 상쇄되는 전하의 수가 감
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curve를 비교해 보았다
그림32. ALD로 증착한 Al2O3박막과 E-Beam으로 증착한 SiO2박막의 비교
그래프에서 알 수 있듯이, ALD로 증착한 박막이 E-beam으로 증착한 박막보다 두께가 얇음에도 불구하고 누설전류가 눈에 띄게 적은 것을 확인 할 수 있었다.
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