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전문지식 32건

	RIE(Reactive Ion Etching)에 대하여 Dry etcher의 분류 플라즈마 식각 장치 반응성 이온 식각 장치 (Reactive ion etching, RIE) 이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법 Dry etching의 개요, 분류 Plasma etching, Ion beam milling Reactive ion etching 공정 변수에 따른 식각 RIE etching, Plasma 공학, RIE(Reactive Ion Etching)에 대하여,	페이지 16페이지 가격 2,300원 등록일 2008.11.25 파일종류 피피티(ppt) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	10 Dry_etching___ICP-_RIE 이용한 식각. 1. 물리적 방법- Sputter Etching 2. 화학적 방법 – Plasma Etching 3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review) 건식에칭 ICP- RIE 란? ICP 원리 RIE 란? 시스템 구성 이방성 식각 ICP- RIE 의 식각 메커니즘 무지개 물방울, 반사의 법칙 반도체, 10 Dry_etching___ICP-_RIE,	페이지 31페이지 가격 3,000원 등록일 2012.02.19 파일종류 피피티(ppt) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	Dry Etching ECR-RIE Dry EtchingECR-RIE ┃ 식각 공정 ┗━━━━━━━━━━─────────… 식각 공정은 마스크를 사용하는 선택 식각과 그렇지 않은 전면 식각으로 나룰 수 있다. 1. 선택 식각 : 마스크 사용, 직접 회로 프로세스의 핵심 기술 무지개 물방울, 반사의 법칙 반도체, Dry Etching ECR-RIE,	페이지 25페이지 가격 3,000원 등록일 2012.02.19 파일종류 피피티(ppt) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	레포트_반도체 공정 장비 작동 방법 RIE)이후에 Cleaning하는 방법 a. SPM(황산:과산화수소=1:1) 10min b. APM(암모니아:과산화수소:Di Water=1:1:5) 15min c. HPM(염산:과산화수소:Di Water=1:1:5) 10min d. BOE: SiO2만 제거, Si는 제거 불가능 (5) Di Water로 헹굼 SPM과정을 거친후 다시 물에 행군다. (6) 반도체 공정 Photo Lithography, LPCVD Spin Coater, 레포트_반도체 공정 장비 작동 방법,	페이지 8페이지 가격 1,000원 등록일 2011.12.19 파일종류 워드(doc) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	반도체 용어정리 1. RIE 2. SIMOX 3. LOCOS 4. RTA 5. MOCVD 6. LPCVD 7. CMP ♨ 참고 문헌 ♨ SIMO 에칭, 증착법 RIE, 반도체 용어정리,	페이지 5페이지 가격 700원 등록일 2007.10.24 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음

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논문 1건

[논문] 홀로그래픽 리소그래피 공정을 이용한 분광기 제작

RIE;Reactive Ion Etching process)과 UV 몰딩 공정을 사용하여 광 투과성 분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다. 반응성 이온 식각공정

홀로그래픽|리소그래피|RIE|분광기|UV molding|UV imprinting|Photoresist|노광, 홀로그래픽 리소그래피 공정을 이용한 분광기 제작,

페이지 26페이지
가격 3,000원
발행일 2010.03.05
파일종류 한글(hwp)
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