|
원리와 과정
E-beam evaporator는 이 공정은 주로 용융점이
높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을
기판 위에 증착 할 수 있는 장비로써, 반도체 공정
및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정이다.
E-beam source인 hot filament에 전류
|
- 페이지 6페이지
- 가격 1,800원
- 등록일 2012.06.04
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
|
- 페이지 31페이지
- 가격 12,600원
- 등록일 2014.01.30
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Sputtering)에 의한 박막 증착’방법의 원리를 이해하고, 실제로 실리콘 기판에 Cu 박막을 증착해보는 실험이었다.
진공증착법에는 크게 물리적증착, 화학적증착이 있고, 이 중 스퍼터링은 물리적 증착에 속한다. 그리고 스퍼터링은 또다시 가해
|
- 페이지 6페이지
- 가격 1,800원
- 등록일 2012.07.03
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Sputtering장치 매뉴얼
네이버 백과사전
신기술연구소논문집(Journal of the institute of new technology) ISSN 1226-184X 1. 서론
2. 이론적 배경
가. Sputtering법
나. RF Sputtering장치의 구성 및 원리
3. 실험
가. 실험 장치
나. 실험 방법
1) Su
|
- 페이지 9페이지
- 가격 1,300원
- 등록일 2013.01.29
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
sputtering 의 기본 원리는 타겟 배면에 설치하는 자기장의 강도를 변화시켜서 플라즈마가 타겟 주위로 구속되는 것이 아니라 기판 방향으로 퍼져 나가도록 함으로써 이온의 흐름을 유도하는 것이다. 기판의 온도를 낮게 유지할 필요가 있는 경
|
- 페이지 4페이지
- 가격 1,300원
- 등록일 2012.12.13
- 파일종류 워드(doc)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|