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■ Abstract ..............................................page. 1
■ Introduction ..................................page. 1
■ Phase Change Memory ............................page. 1
1. About the Phase Change Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Chang
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1. PCRAM 등장배경
-기존 대표적 메모리의 종류
(1) 휘발성메모리:
(2) 비휘발성 메모리:
- 상변화 메모리의 등장(PCM, PRAM, PCRAM 등)
2. PCRAM(phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram
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메모리와 전기메모리 기반기술 - 상변화(phase change) 기술
(1) 기본이론
(2) 상변화디스크 시스템 및 디스크 구조
(3) 각 층의 역할
(가) 유전체 보호층
(나) 기록막
(다) 반사층
(라) 보호코팅층
(마) 기판
(4) 상변화 물질의 발전 역
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메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
2. 상변화 기술이론
(2.1) 기본이론
(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1
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만들 수 있게 했다. 또한 PCM(Phase Change Memory) 및 RRAM(Resistive Random Access Memory)과 같은 새로운 메모리 기술이 개발되고 있으며, 이를 통해 훨씬 빠르고 콤팩트한 메모리 솔루션을 제공할 수 있다. 전반적으로, 반도체 메모리의 개발은 점진적인 정
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memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론
1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random
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phases of LTP phenomena in the hippocampal CA1 region in vitro. Brain Res. 452: 57-65.
69. McGaugh, J.L. (2000). Memory--a century of consolidation. Science. 287: 248-251.
70. Barros, D.M. et al. Modulation of working, short- and long-term memory by nicotinic receptors in the basolateral amygdala in
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Phase Lock Loop for standard Mobile Image Achitecture, 석사 논문(연세대학교 전기전자 공학과, 삼성전자 LSI 시스템) 2004
<4> 김 대 정, “DLL기반의주파수 합성기” IDEC News Letter January, vol.34,
no.5, p.16 ~ p.17 2005
<5> CMOS ADC DLL PLL 칩의 최신 기술 동향,
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